ZERBITZUAK
Gainestaldura teknologiak
ZERBITZUAK
Gainestaldura teknologiak
PVD TEKNOLOGIA
Physical Vapor Deposition
PVD prozesu erreaktibo guztiak metala baten ionizazio eta lurrunketan oinarrituta daude, ionizatutako gas batekin erreakzioa egiten duena, konposatu zeramikoak sortuz eta substratuan gainestaldura bezala ezarriz. Metalekin konparatuta, konposatu zeramikoek gogortasun altuagoak eta marruskadura-koefiziente txikiagoa dute.
Metal hau polarizatuta dago. Zertarako? Ioiak bideratzeko eta substratuaren gainazalera ondo itsatsita dagoen konposatua sortzeko.
PVD teknika guztiek huts ultra altua (2-4 mPa) behar dute eta estali beharreko substratuaren ohiko beroketa faseak kontuan hartzen ditu, hala nola eraso ionikoa, gainestaldura bera eta hoztea.
ZEINTZUK DIRA GURE GAINESTALDURETAN ERABILTZEN DITUGUN PVD TEKNOLOGIAK?
PVD MS
MAGNETRON SPUTTERING
Teknologia hau besteetatik ezberdintzen da metala edo konposatu zeramikoa lurruntzeko eragatik.
“Sputtering” teknologiak gehien aztertu den hutseko teknologia da geruza oso homogeneoak lortzea ahalbidetzen baitu, morfologia eta etengabeko konposaketa dutenak eta substratu originalaren zimurtasuna “kopiatuz”. Metal eroaleaz gain, material ez-eroaleak, zeramikoak edo grafitoa lurruntzeko aukera ematen du, besteak beste.
PVD CAE
ARKU ELEKTRIKOAREN BIDEZKO LURRUNKETA
Teknologia honen bidez metalak arku elektrikoa baten bidez lurruntzen dira helburuko piezaren gainean. Eremu magnetikoen bidez, arkua, metalaren azalera zeharkatzen du ausaz edo bideratuta, metalezko atomoak galdatuz, lurrunduz eta ionizatuz.
PVD HiPIMS
HIGH POWER IMPULSE MAGNETRON SPUTTERING
“Magnetron sputtering” bidez lorturiko gainestaldura belaunaldi berria, ionizazioa asko igotzen da eta mikrotanten sorrera ekiditea lortzen da. Horretarako, helburuko piezaren gaineko argon bonbardaketa energia oso altuko (MW) deskarga pultsatuen bidez (mikrosegundoetako maiztasunarekin) erabiltzen da.
CVD TEKNOLOGIA
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
CVDn, metalak zein ez-metalak erreaktorera sartzen diren konposatu gaseosoak (aitzindariak) eratzen ari dira. Prozesuak tenperatura altuetan egiten dira (1000 C-tik gertu), substratuan metatu eta hedatzen diren konposatuak eratzen dituzten erreakzioen alde egiten dutenak.
ZEINTZUK DIRA GURE ESTALDUTARAKO ERABILTZEN DITUGUN CVD TEKNOLOGIAK?
HF CVD
HOT FILAMENT CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Teknologia hau diamante polikristalinoko gainestaldurak (PCD, Poly Crystallin Diamond) lortzeko erabiltzen da. Aitzindariak metanoa (CH4) eta hidrogenoa (H2) dira eta prozesua 1000 C gradutan burutzen da. Tenperatura altua dela eta, HF CVD bidez zementatutako karburoak (metal gogorrak) estali daitezke. Diamantearen eraketa baldintzak sortzeko, estali beharreko erreminten alboan kokatutako goritasun-harizpi bat erabiltzen da, aldi berean, erreminta horiek erreaktorearen hormekiko polarizatuta daude.
PECVD
PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
PECVD teknologia gehien bat DLC (Diamond Like Carbon) karbono amorfoko gainestaldurak lortzeko erabiltzen da. Aitzindarien aktibazioa eta erreaktibitatea 200 C gradu baino gutxiagoko tenperaturetan gertatzen da pieza eta erreaktorearen hormen arteko potentzial ezberdintasun bati esker. Orokorrean, aitzindariak metanoa (CH4) edo azetilenoa (C2H2) dira eta plasmaren sorrera RF edo DC elikatze-iturrien bidez gauzatzen da. PECVD prozesua PVD MS erreaktoreetan burutuz gero, posiblea da grafitoa lurruntzea DLC gainestalduren ezaugarriak hobetzeko.
