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Tecnologías
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TECNOLOGÍA PVD
Physical Vapor Deposition
Todos los procesos PVD reactivos están basados en la evaporación e ionización de un metal que reacciona con un gas ionizado formando los compuestos cerámicos que se depositan sobre el sustrato en forma de recubrimiento. Los compuestos cerámicos tienen durezas más elevadas y coeficientes de fricción menores que los metales.
Este metal está polarizado para dirigir los iones y formar el compuesto bien adherido a la superficie del sustrato.
Todas las técnicas PVD requieren de ultra alto vacío (2-4 mPa) y contemplan las fases comunes de calentamiento previo del sustrato a recubrir, de ataque iónico, de recubrimiento y de enfriamiento.
¿CUÁLES SON LAS TECNOLOGÍAS PVD QUE USAMOS
PARA NUESTROS RECUBRIMIENTOS?
PVD MS
MAGNETRON SPUTTERING
Esta tecnología se diferencia del resto por la manera de evaporar un metal o compuesto cerámico.
La tecnología de “sputtering” es la tecnología de vacío más estudiada por la obtención de capas muy homogéneas, de morfología y composición constante y “copiando” la rugosidad original del sustrato. Además de metales conductores, presenta la posibilidad de evaporar materiales no conductores, cerámicos y grafito, entre otros
PVD CAE
EVAPORACIÓN POR ARCO ELÉCTRICO
Se trata de una tecnología que vaporiza metales mediante la acción de un arco eléctrico sobre la superficie del blanco. Mediante campos magnéticos, el arco, recorre la superficie del metal de manera aleatoria o dirigida, fundiendo, evaporando e ionizándolo. Con ello se consiguen especies reactivas que se combinan para formar el recubrimiento deseado.
PVD HiPIMS
HIGH POWER IMPULSE MAGNETRON SPUTTERING
Se trata de una nueva generación de recubrimientos obtenidos por “magnetron sputtering” donde aumenta mucho la ionización y se consigue evitar la formación de microgotas. Para ello, el bombardeo de argón sobre el blanco se produce mediante descargas de muy alta energía (MW) de forma pulsada (con frecuencias de microsegundos).
TECNOLOGÍA CVD
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
En CVD, tanto metales como no metales están formando compuestos gaseosos (precursores) que se introducen en el reactor. Los procesos se realizan a temperaturas elevadas (cercanas a 1000 C) que favorecen las reacciones que forman los compuestos que se depositan y difunden en el substrato.
¿CUÁLES SON LAS TECNOLOGÍAS CVD QUE USAMOS
PARA NUESTROS RECUBRIMIENTOS?
HF CVD
HOT FILAMENT CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Esta tecnología se emplea principalmente para obtener recubrimientos de diamante policristalino (PCD, Poly Crystallin Diamond). Los precursores son metano (CH4) e hidrógeno (H2) y el proceso se realiza a 1000 C. Esta elevada temperatura hace que sólo se puedan recubrir carburos cementados (metal duro) por HF CVD . Para generar las condiciones de formación de diamante, el proceso está asistido por un filamento incandescente al lado de las herramientas a recubrir que, a su vez, están polarizadas respecto a las paredes del reactor
PECVD
PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
La tecnología PECVD se emplea principalmente para obtener recubrimientos de carbono amorfo DLC (Diamond Like Carbon). La activación de los precursores y su reactividad se produce a temperaturas inferiores a 200 C con ayuda de una diferencia de potencial entre piezas y paredes del reactor. Generalmente los precursores son metano (CH4) o acetileno (C2H2) y la generación del plasma es mediante fuentes de alimentación RF o DC. Si el proceso PECVD se realiza en reactores PVD MS es posible, además, evaporar grafito para mejorar las propiedades de los recubrimientos DLC.
