SERVEIS
Tecnologies
SERVEIS
Tecnologies
TECNOLOGIA PVD
Physical Vapor Deposition
Tots els processos de PVD estan basats en l’evaporació i la ionització d’un metall que reacciona amb un gas ionitzat formant els compostos ceràmics que es dipositen sobre el substrat en forma de recobriment. Els compostos ceràmics tenen dureses més elevades i coeficients de fricció menors que els metalls.
Aquest metall està polaritzat per tal de dirigir els ions i formar el compost ben adherit a la superfície del substrat.
Totes les tècniques PVD requereixen ultra alt buit (2-4 mPa) i contemplen les fases comunes d’escalfament previ del substrat a recobrir, d’atac iònic, de recobriment i de refredament.
QUINES SÓN LES TECNOLOGIES PVD QUE UTILITZEM PELS NOSTRES RECOBRIMENTS?
PVD MS
MAGNETRON SPUTTERING
Aquesta tecnologia es diferencia de la resta per la forma d’evaporar un metall o un compost ceràmic.
La tecnologia d’“sputtering” és la tecnologia de buit més estudiada per l’obtenció de capes homogènies, de morfologia i composició constant i “copiant” la rugositat original del substrat. A més de metalls conductors, presenta la possibilitat d’evaporar materials no conductors, ceràmics i grafit, entre d’altres.
PVD CAE
EVAPORACIÓ PER ARC ELÈCTRIC
Es tracta d’una tecnologia que vaporitza metalls mitjançant l’acció d’un arc elèctric sobre la superfície del blanc. Mitjançant camps magnètics, l’arc recorre la superfície del metall de manera aleatòria o dirigida, fonent, evaporant i ionitzant els àtoms metàl·lics.
PVD HiPIMS
HIGH POWER IMPULSE MAGNETRON SPUTTERING
Es tracta d’una nova generació de recobriments obtinguts per “magnetron sputtering” on augmenta molt la ionització i s’aconsegueix evitar la formació de microgotes. Per això, el bombardeig d’argó sobre el blanc es produeix mitjançant descàrregues de molt alta energia (MW) de forma polsada (amb freqüències de microsegons).
TECNOLOGIA CVD
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
En CVD, tant metalls com no-metalls estan formant compostos gasosos (precursors) que s’introdueixen al reactor. Els processos es realitzen a temperatures elevades (properes a 1000 C) que afavoreixen les reaccions que formen els compostos que es dipositen i difonen el substrat.
QUINES SÓN LES TECNOLOGIES CVD QUE UTILITZEM PELS NOSTRES RECOBRIMENTS?
HF CVD
HOT FILAMENT CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
Aquesta tecnologia s’empra principalment per obtenir recobriments de diamant policristal·lí (PCD, Poly Crystallin Diamond). Els precursors són metà (CH4) i hidrogen (H2) i el procés es realitza a 1000 C. Aquesta elevada temperatura fa que només es puguin recobrir carburs cimentats (metall dur) per HF CVD. Per generar les condicions de formació de diamant, el procés està assistit per un filament incandescent al costat de les eines a recobrir que, a la vegada, estan polaritzades respecte las parets del reactor.
PECVD
PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
La tecnologia PECVD s’empra principalment per obtenir recobriments de carboni amorf DLC (Diamond Like Carbon). L’activació dels precursors i la seva reactivitat es produeix a temperatures inferiors a 200 C amb ajuda d’una diferència de potencial entre peces i parets del reactor. Generalment, els precursors són metà (CH4) o acetilè (C2H2) i la generació del plasma és mitjançant fonts d’alimentació RF o DC. Si el procés PECVD es realitza a reactors PVD MS, és possible, a més, evaporar grafit per millorar les propietats dels recobriments DLC.
